第(2/3)页

    所谓CMOS混合结构，实际就是SiGe  BiCMOS工艺，中文全称为：硅锗双极-互补金属氧化物半导体，这东西在功率上面相对还算勉强能接受，并且还完美继承CMOS工艺加工流程，成本也足够低廉，是一种很不错的半导体射频工艺技术。

    SiGe  BiCMOS工艺产品性能优点在于成本低，并且功率相对不错，甚至在2000年之后的相控阵雷达大爆发时代，一些不法分子以次充好，为了降低成本，便采用SiGe  BiCMOS工艺T/R组件来制造相控阵雷达。

    好吧，这只是开个玩笑而已，采用采用SiGe  BiCMOS工艺制造的T/R组件功耗低、成本低、集成度高，被广泛用于T/R组件小型化和成本控制方面，其中以X波段相控阵雷达最有使用价值。

    SiGe  BiCMOS工艺的T/R组件不仅适用于X波段相控阵空天预警雷达，在Ka波段的T/R组件方面，因为集成度高、体积小，因此被运用于主动雷达导引头。

    所谓主动雷达导引头，区别就在于美帝的AIM-7麻雀家族和AIM-120阿姆拉姆之间，前者因为导引头研发时代的工艺水平限制，无法容纳雷达发射机及接收机，即便勉强上马，这种导引头最终也只能用于AIM-54上面。

    直到固态电子及集成电路出现，雷达组件可以有望实现小型化，才在空空导弹内实现雷达波的发射及接收一手包办，而这便是主动雷达导引头的作用。

    美帝有了小型化的主动雷达导引头，所以搞出AIM-120这种神器，而共和国现在却只能捣鼓AIM-7家族改进而来的半主动雷达导引头：霹雳11。

    这两种导弹之间有巨大地差距，要说这种代差，大概跟三代机与四代隐身机之间差不多，完全是吊打。

    所以嘛....

    有的时候，军用和民用之间差距真的很小，孟怀英原本只是为了实现CMOS射频芯片功率大，才弄出SiGe  BiCMOS工艺，却没想到她搞出来的技术拥有非常广阔地军用前景。

    在孟怀英的SiGe  BiCMOS工艺成功之际，由于当时射频芯片在607所的微波暗室进行测试，结果出来之后，便被607所大神们敏锐地发现其军用价值，这时候甚至都已经开始组件团队基于该技术开发相控阵主动雷达导引头。

    主动雷达导引头发展历中，实际也并非一步到位的直接进入到相控阵雷达时代。

    九十年代的主动雷达导引头并不是相控阵体制，那时候是传统的“机扫-平板缝隙天线”雷达小型化而来，包括美国AIM-120、欧洲流星，以上这些皆如此。

    相控阵主动雷达导引头，那都是在2000年之后才有所抬头，此时的砷化镓T/R组件小型化逐渐成熟，又是小日本最先吃螃蟹，他们研制于2002年AAM-4B中距弹就采用相控阵主动导引头。

    AAM-4B采用有源相控阵主动导引头，能够提高探测距离、抗干扰、在对一些雷达隐身目标的探测能力也还不错，这实用化速度甚至比他美爹都来的更快。

    现在九十年代初期，607所要准备上马相控阵雷达主动导引头，汪正国也能表示：你们高兴便好。

    上位面之所以是在2000年之后才开始有主动相控阵雷达头，是因为早期“机扫-平板缝隙天线”主动导引头发展足够成熟，毕竟那是美帝AIM-120证明过的道路，后来者也都争相效仿。
    第(2/3)页